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技术资料 / Data

STF2HNK60Z ST 集成电路(IC)优势代理

2020/2/29 15:34:03 STF2HNK60Z

制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STF2HNK60Z
描述

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 SuperMESH™
其它名称 497-12575-5 
STF2HNK60Z-ND 
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 4.8 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 15nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 20W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
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