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技术资料 / Data

NVTR0202PLT1G ON 分立半导体 原厂代理

2020/1/2 11:29:49 NVTR0202PLT1G

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NVTR0202PLT1G

描述

MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 -

其它名称 NVTR0202PLT1G-ND

NVTR0202PLT1GOSTR

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 800 毫欧 @ 200mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 2.18nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 70pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散(值) 225mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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