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技术资料 / Data

STU16N65M2 ST 集成电路(IC)原装

2019/12/28 14:39:09 STU16N65M2

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STU16N65M2

描述

MOSFET N-CH 650V 11A IPAK


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 MDmesh™ M2

其它名称 497-15248-5

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 360 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 19.5nC @ 10V

Vgs(值) ±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 718pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(值) 110W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 IPAK(TO-251)

封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA


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