制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRF5806TRPBF

描述

MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

其它名称 IRF5806TRPBF-ND

IRF5806TRPBFTR

SP001576892

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 86 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 11.4nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 594pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 Micro6™（TSOP-6）

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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