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技术资料 / Data

IRL2910STRLPBF infineon 分立半导体 工程一对一服务

2019/11/16 11:18:21 IRL2910STRLPBF

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRL2910STRLPBF

描述

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 HEXFET®

其它名称 IRL2910STRLPBF-ND

IRL2910STRLPBFTR

SP001571800

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 26 毫欧 @ 29A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 140nC @ 5V

Vgs(值) ±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 3700pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 3.8W(Ta),200W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


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