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技术资料 / Data

CSD17507Q5A TI 集成电路(IC)优势代理

2019/11/12 16:59:27 CSD17507Q5A

制造商

Texas Instruments

制造商零件编号

CSD17507Q5A

描述

MOSFET N-CH 30V 65A 8SON


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 NexFET™

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),65A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 10.8 毫欧 @ 11A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 3.6nC @ 4.5V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 530pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(值) 3W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-VSONP(5x6)

封装/外壳 8-PowerTDFN


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