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技术资料 / Data

RSS110N03TB ROHM 分立半导体 原装

2019/11/7 16:05:22 RSS110N03TB

制造商

Rohm Semiconductor

制造商零件编号

RSS110N03TB

描述

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 -

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 10.7 毫欧 @ 11A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 17nC @ 5V

Vgs(值) 20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1300pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(值) 2W(Ta)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-SOP

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


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