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技术资料 / Data

SI2305DS-T1-E3 VISHAY 分立半导体产品 原装

2019/11/7 15:59:08 SI2305DS-T1-E3

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI2305DS-T1-E3

描述

MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1245pF @ 4V

FET 功能 -

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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