制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IPB100N06S2L05ATMA2

描述

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 OptiMOS™

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 4.4毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 230nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5660pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-TO263-3-2

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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