制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FGH75T65UPD
描述
IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
系列 -
规格
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(值) 650V
电流 - 集电极(Ic)(值) 150A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 225A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.3V @ 15V,75A
功率 - 值 375W
开关能量 2.85mJ(开),1.2mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 385nC
25°C 时 Td(开/关)值 32ns/166ns
测试条件 400V,75A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 85ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
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