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技术资料 / Data

IRLML9303TRPBF infineon 分立半导体 工程一对一技术指导

2019/10/29 16:51:10 IRLML9303TRPBF

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRLML9303TRPBF

描述

MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3



类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 HEXFET®

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 165 毫欧 @ 2.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.4V @ 10μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 2nC @ 4.5V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 160pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 1.25W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 Micro3™/SOT-23

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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