制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STGWT40H65FB

描述

IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

系列 -

规格

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（值） 650V

电流 - 集电极（Ic）（值） 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 160A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，40A

功率 - 值 283W

开关能量 498mJ（开），363mJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 210nC

25°C 时 Td（开/关）值 40ns/142ns

测试条件 400V，40A，5 欧姆，15V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装 TO-3P

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