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技术资料 / Data

配单 FAE技术支持 STS11NF30L ST 分立半导体产品

2019/7/18 16:33:30 STS11NF30L

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STS11NF30L

描述

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 STripFET™ II

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 10.5 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 30nC @ 5V

Vgs(值) ±18V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1440pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 2.5W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


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