制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STV160NF02LAT4

描述

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 STripFET™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.7毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 175nC @ 10V

Vgs（值） ±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5500pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 210W（Tc）

工作温度 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 10-PowerSO

封装/外壳 PowerSO-10 裸露底部焊盘

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