制造商

Texas Instruments

制造商零件编号

CSD86330Q3D

描述

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 NexFET™

规格

FET 类型 2 个 N 通道（半桥）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.6 毫欧 @ 14A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 920pF @ 12.5V

功率 - 值 6W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-PowerLDFN

供应商器件封装 8-LSON（3.3x3.3）

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