制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STW88N65M5

描述

MOSFET N-CH 650V 84A TO-247

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 MDmesh™ V

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 84A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 29 毫欧 @ 42A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 204nC @ 10V

Vgs（值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 8825pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 450W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

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