制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STDLED656

描述

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.3 欧姆 @ 2.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 34nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 895pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 70W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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