制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI3443BDV-T1-E3

描述

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 60 毫欧 @ 4.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 9nC @ 4.5V

Vgs（值） ±12V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.1W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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