制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
DMG4932LSD-13
描述
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 -
规格
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 15 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1932pF @ 15V
功率 - 值 1.19W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
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