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技术资料 / Data

工程一对一服务 SI3981DV-T1-E3 Vishay 分立半导体产品

2019/4/28 11:34:56 SI3981DV-T1-E3

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI3981DV-T1-E3

描述

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 185 毫欧 @ 1.9A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) -

功率 - 值 800mW

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装 6-TSOP


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