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技术资料 / Data

工程一对一服务 FQD2P40TM ON 分立半导体产品

2018/3/18 16:38:46

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQD2P40TM

描述 MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)


类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 400V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.56A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 13nC @ 10V

Vgs(值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 350pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 2.5W(Ta),38W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 6.5 欧姆 @ 780mA,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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