工程一对一服务 FQD2P40TM ON 分立半导体产品
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FQD2P40TM
描述 MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.56A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 13nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 350pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta），38W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 6.5 欧姆 @ 780mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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