制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FDS8817NZ

描述

MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）1（无限） 一般信息

数据列表FDS8817NZ;

标准包装  2,500

包装  标准卷带

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列PowerTrench®

其它名称FDS8817NZTR

规格

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2400pF @ 15V

Vgs（值）±20V

FET 功能-

功率耗散（值）2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）7 毫欧 @ 15A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SO

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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