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技术资料 / Data

原装现货代理 TPC8022-H TOSHIBA 晶体管 - FET,MOSFET - 单

2017/11/29 22:11:09

东芝于2016630日将视频业务移交给TVS运营,正如20161111日东芝发布的“2016财年第二季度决算(6个月累计)”所介绍的,东芝致力于继续推进视频业务发展并强化财务体制结构改革。根据此前的研究以及与候选受让企业的交涉结果,今天,我们与海信达成了转让TVS股权的相关事宜,并正式签署了转让协议。

型号:

TPC8022-H 厂商:

TOSHIBA 一般信息

数据列表Mosfets Prod Guide;

TPC8022-H;

标准包装  3,000

包装  标准卷带

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FETMOSFET -

系列-

规格

FET 类型N 沟道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)7.5ATa

驱动电压( Rds OnRds On4.5V10V

不同 Id 时的 Vgsth)(值)2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)650pF @ 10V

Vgs(值)±20V

FET 功能-

功率耗散(值)1WTa

不同 IdVgs 时的 Rds On(值)27 毫欧 @ 3.8A10V

工作温度150°CTJ

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOP5.5x6.0

封装/外壳8-SOIC0.173"4.40mm 宽)

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