威世接下来的半导体公司收购发生在2001年，购买了英飞凌科技(Infineon Technologies)公司的红外线元件业务。跟着在2001年收购了二极管和整理器的制造商通用半导体(General Semiconductor)。英飞凌(Infineon)的红外元件部分和通用半导体(General Semiconductor)的业务补充增强了威世现有的特洛芬肯(Telefunken)和硅尼克斯(Siliconix)的业务能力，并推进威世步入了分立半导体制造商的行列。

型号：

SI7806ADN-T1-GE3 厂商：

VISHAY 一般信息

数据列表SI7806ADN;

标准包装  3,000

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列TrenchFET®

规格

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）20nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）-

Vgs（值）±20V

FET 功能-

功率耗散（值）1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）11 毫欧 @ 14A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

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