概述

该FDMS8670S已被设计为化损失

功率转换应用。在硅和进步

封装技术已被合并为提供

?

DS（上）

同时保持出色的开关性能。这

设备具有高效单片肖特基额外的好处

体二极管。

应用

同步整流DC / DC转换器

笔记本电压/ GPU的低边开关

网络负载点低边开关

电信二次侧矫

型号：FDMS8670S

厂商：

Fairchild

数据列表 FDMS8670S;

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 PowerTrench®，SyncFET™

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta），42A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 73nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4000pF @ 15V

Vgs（值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.5 毫欧 @ 20A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 Power56

封装/外壳 8-PowerTDFN

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