厂商 Vishay Siliconix

型号 SI6966DQ-T1-E3

描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

一般信息

数据列表 SI6966DQ;

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 30 毫欧 @ 4.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -

功率 - 值 830mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装 8-TSSOP

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