STQ1HNK60R-AP
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STMicroelectronics
TO-92-3
TO-92-3
5000
制造商编号：
STQ1HNK60R-AP
制造商：
STMicroelectronics
安装风格: ThroughHole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻:8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: -55 C
最大工作温度: +150 C
Pd-功率耗散:3 W
通道模式: Enhancement
封装: AmmoPack
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 25ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5ns
系列: STQ1HNK60R
子类别: Transistors
晶体管类型: 1N-Channel
典型关闭延迟时间: 19ns
典型接通延迟时间: 6.5ns
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
朱小姐/方小姐
0755-23202135
制造商编号：
STQ1HNK60R-AP
制造商：
STMicroelectronics
安装风格: ThroughHole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻:8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: -55 C
最大工作温度: +150 C
Pd-功率耗散:3 W
通道模式: Enhancement
封装: AmmoPack
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 25ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5ns
系列: STQ1HNK60R
子类别: Transistors
晶体管类型: 1N-Channel
典型关闭延迟时间: 19ns
典型接通延迟时间: 6.5ns
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
