型号(PratNumber) | IPB027N10N3GATMA1 |
数量(QTY.) | 8000 |
厂家(Brand) | Infineon |
封装(Package) | TO-263-3 |
批号(DC.) | 22+ |
联系人(contact) | 周小姐 |
电话(contact) | 13715229763 |
PDF(PDF.) | |
询价(Inquire) |
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB027N10N3GATMA1
描述
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 275μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
206 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB027
公司简介:
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型号(PartNumber) | 数量(QTY.) | 厂家(Brand) | 封装(Package) | 批号(DC.) | 描述(Description) | |
HFBR-4513Z | 8000 | Broadcom | 22+ | 制造商Broadcom Limited制造商产品编号HFBR-4513Z描述CONN FIBER P | ||
HFBR-2412TZ | 8000 | Broadcom | 制造商Broadcom Limited制造商产品编号HFBR-2412TZ描述RECEIVER FI | |||
HFBR-1522Z | 8000 | Broadcom | 22+ | 制造商Broadcom Limited制造商产品编号HFBR-1522Z描述XMITTER FIBE | ||
HFBR-2522Z | 8000 | Broadcom | 22+ | 制造商Broadcom Limited制造商产品编号HFBR-2522Z描述RECEIVER FIB | ||
IPB027N10N3GATMA1 | 8000 | Infineon | TO-263-3 | 22+ | 制造商Infineon Technologies制造商产品编号IPB027N10N3GATMA1描述 | |
IRLML0060TRPBF | 8000 | Infineon | TO-236-3 | 22+ | 制造商Infineon Technologies制造商产品编号IRLML0060TRPBF描述MOS |