APT1001R1BN
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MT
TO-247AD
TO-247AD
8000
制造商
Microchip Technology
制造商产品编号
APT1001R1BN
供应商
Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS IV®
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 欧姆 @ 5.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
310W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
朱小姐/方小姐
0755-23004145
制造商
Microchip Technology
制造商产品编号
APT1001R1BN
供应商
Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS IV®
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 欧姆 @ 5.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
310W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
