1SS193S
PDF下载1SS193S
Toshiba
TO-236-3
TO-236-3
6000
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
1SS193S,LF(D
描述
DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
类别
分立半导体产品
二极管
整流器
单二极管
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
80 V
电流 - 平均整流 (Io)
100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 100 mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)
4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容
3pF @ 0V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
S-Mini
工作温度 - 结
125°C（最大）
基本产品编号
1SS193
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
朱小姐/方小姐
0755-23004145
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
1SS193S,LF(D
描述
DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
类别
分立半导体产品
二极管
整流器
单二极管
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
80 V
电流 - 平均整流 (Io)
100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 100 mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)
4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容
3pF @ 0V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
S-Mini
工作温度 - 结
125°C（最大）
基本产品编号
1SS193
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
