产品详情

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STGD4M65DF2

描述

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

类别

分立半导体产品

晶体管

IGBT

单 IGBT

制造商

STMicroelectronics

系列

M

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel® 得捷定制卷带

产品状态

在售

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

16 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V，4A

功率 - 最大值

68 W

开关能量

40µJ（开），136µJ（关）

输入类型

标准

栅极电荷

15.2 nC

25°C 时 Td（开/关）值

12ns/86ns

测试条件

400V，4A，47 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)

133 ns

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装

DPAK

基本产品编号

STGD4

公司简介：

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