产品详情

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPG20N06S2L50AATMA1

描述

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

类别

分立半导体产品

晶体管

FET，MOSFET

FET、MOSFET 阵列

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel® 得捷定制卷带

产品状态

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压（Vdss）

55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

50 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 19µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

560pF @ 25V

功率 - 最大值

51W

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装，可润湿侧翼

封装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件封装

PG-TDSON-8-10

基本产品编号

IPG20N

公司简介：

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