产品详情

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IRF7319TRPBF

供应商   

Infineon Technologies

描述

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态

在售

FET 类型

N 和 P 沟道

FET 功能

标准

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

29 毫欧 @ 5.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

33nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

650pF @ 25V

功率 - 最大值

2W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装

8-SO

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