产品详情

STMicroelectronics 晶体管 STP75NF75

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STP75NF75

STMicroelectronics 晶体管 STP75NF75

包装管件

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）11 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA

Vgs（最大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（最大值）300W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

漏源电压（Vdss）75 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）160 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3700 pF @ 25 V

基本产品编号STP75

STMicroelectronics 晶体管 STP75NF75

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