型号: | IRFR13N20DTRPBF |
厂 商: | |
品牌/商标: | infineon |
产品类别: | Infineon - |
联系人: | 周小姐 |
电话: | 13715229763 |
IRFR13N20DTRPBF 产品信息:
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFR13N20DTRPBF
描述
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
一般信息
数据列表 IRF(R,U)13N20DPbF;
标准包装 2,000
包装 标准卷带
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRFR13N20DPBFTR
IRFR13N20DTRPBF-ND
IRFR13N20DTRPBFTR-ND
SP001567488
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 235 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 38nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 830pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
产品实图拍摄:
自营仓库:
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公司介绍:
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