产品详情

型号：ULN2003APWR

品牌：TI

一般信息

数据列表 ULx200xA(I);

标准包装   2,000

包装   标准卷带  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

系列 -

规格

晶体管类型 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（值） 500mA

电压 - 集射极击穿（值） 50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 1.6V @ 500μA，350mA

电流 - 集电极截止（值） 50μA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） -

功率 - 值 -

频率 - 跃迁 -

工作温度 -20°C ~ 70°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装 16-TSSOP

多克·彻和尤金·麦克德特于1930年在新泽西的纽瓦克创建了地球物理服务公司(GSI)。1951 年，该公司更名为德州仪器公司(TI)，后于1953年在纽约证券交易所注册。TI从西方电气公司购买了许可之后于1952年开始制造半导体。1954年，TI生产了个商业硅半导体，TI的工程师杰克·基尔比 (和英特尔公司的创始人鲍勃·诺伊斯)在1958年发明了集成电路。到1959年，TI的半导体生产部分已占该公司总销售额的1/2。

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