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型号：
IRF640NPBF
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品牌/商标：
INFINEON
- 生产厂家：
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产品类别：
Infineon -
- 规格：
型号：IRF640NPBF
品牌：Infineon
一般信息
数据列表 IRF640N(S,L)PbF;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 67nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1160pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 150W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
成立於1966年，是美国Nasdaq上市企业，为敦南科技转投资企业，主要从事半导体分立元件制造生产，Diodes Inc.与光宝集团具备合作夥伴关系，双方共同开发、生产及分销产品，服务厂商包括通讯、电脑、工业、电子产品和汽车工业等。
Diodes 公司是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商，服务市场主要面向电子消费品、计算、通讯、工业和汽车制造业。
