产品详情

型号：IRF640NPBF

品牌：Infineon

一般信息

数据列表 IRF640N(S,L)PbF;

标准包装   50

包装   管件  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 150 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 67nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1160pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 150W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

成立於1966年，是美国Nasdaq上市企业，为敦南科技转投资企业，主要从事半导体分立元件制造生产，Diodes Inc.与光宝集团具备合作夥伴关系，双方共同开发、生产及分销产品，服务厂商包括通讯、电脑、工业、电子产品和汽车工业等。

Diodes 公司是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商，服务市场主要面向电子消费品、计算、通讯、工业和汽车制造业。