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产品展示 / Products

工程一对一服务 DMN3032LE-13 Diodes 分立半导体产品

工程一对一服务  DMN3032LE-13 Diodes 分立半导体产品
型号: DMN3032LE-13
厂 商:
品牌/商标: Diodes
产品类别: Diodes -
联系人: 周小姐
电话: 13715229763
 

产品详情

Diodes Incorporated - 在广阔的分立、逻辑和模拟和混合信号半导体市场中,Diodes Incorporated 是的制造商和供应商,提供高品质特定应用型标准产品。

Diodes 的产品种类丰富,包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特定功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应和温度传感器、电源管理设备(包括 LED 驱动器、AC-DC 转换器和控制器、DC-DC 开关、线性稳压器和电压基准),以及特殊功能器件,如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器和电机控制器等。 Diodes 还提供信号完整性接口模块、LVDS 器件(低电压器件差分信号发送技术)、晶体振荡器,以及各种可实现串行连接的开关。

型号:DMN3032LE-13

品牌:Diodes



一般信息

数据列表 DMN3032LE;

标准包装   2,500

包装   标准卷带  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 -

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 29 毫欧 @ 3.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 11.3nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 498pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(值) 1.8W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223

封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA


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