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一般信息

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IRF640N(S,L)PbF;

标准包装  

50

包装  

管件

零件状态

在售

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列

HEXFET®

规格

FET 类型

N 沟道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

18A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）

10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

150 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）

4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）

67nC @ 10V

Vgs（值）

±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）

1160pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散（值）

150W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

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