产品详情
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型号：
IRF640N
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品牌/商标：
Infineon
- 生产厂家：
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产品类别：
Infineon -
- 规格：
一般信息
数据列表
IRF640N(S,L)PbF;
标准包装
50
包装
管件
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列
HEXFET®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
67nC @ 10V
Vgs（值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
1160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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