产品详情

一般信息

数据列表

IRF(R,U)9120NPbF;

标准包装  

2,000

包装  

标准卷带

零件状态

在售

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列

HEXFET®

规格

FET 类型

P 沟道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

6.6A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）

10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

480 毫欧 @ 3.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）

4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）

27nC @ 10V

Vgs（值）

±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）

350pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散（值）

40W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

D-Pak

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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