产品详情
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型号：
STW35N60DM2
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品牌/商标：
ST
- 生产厂家：
- 产品类别：
- 规格：
制造商STMicroelectronics
制造商零件编号STW35N60DM2
描述MOSFET N-CH 600V 28A
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DM2
包装 ?管件 ?
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）28A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）110 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）54nC @ 10V
Vgs（值）±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2400pF @ 100V
FET 功能-
功率耗散（值）210W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247
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