产品详情

制造商STMicroelectronics

制造商零件编号STW35N60DM2

描述MOSFET N-CH 600V 28A

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商STMicroelectronics

系列MDmesh™ DM2

包装 ?管件 ?

零件状态在售

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）28A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）110 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）54nC @ 10V

Vgs（值）±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2400pF @ 100V

FET 功能-

功率耗散（值）210W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247

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