制造商 

NXP USA Inc.

制造商零件编号 

2N7002BKT,115

描述 

MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

其它名称 2N7002BKT,115-ND

568-5978-2

934064285115

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 290mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） .6nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（值） 260mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SC-75

封装/外壳 SC-75，SOT-416

安富利（深圳）实业发展有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流

通环节，降低运营成本。目前主要经营：TI（德州仪器）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）、等等。制造商 

NXP USA Inc.

制造商零件编号 

2N7002BKT,115

描述 

MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

其它名称 2N7002BKT,115-ND

568-5978-2

934064285115

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 290mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） .6nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（值） 260mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SC-75

封装/外壳 SC-75，SOT-416

安富利（深圳）实业发展有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流

通环节，降低运营成本。目前主要经营：TI（德州仪器）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）、等等。