制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPD031N06L3GATMA1
描述
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 IPD031N06L3 G
IPD031N06L3 G-ND
IPD031N06L3 GTR-ND
IPD031N06L3G
IPD031N06L3GATMA1TR
SP000451076
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.2V @ 93μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 79nC @ 4.5V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 13000pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（值） 167W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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