- 型号 厂家 封装 批号 数量 PDF 备注 询价
-
FODM121GR4
onsemi
4-SMD
2024+
6500
制造商
onsemi
制造商产品编号
FODM121GR4
包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态在售
通道数1
电压 - 隔离3750Vrms
电流传输比（最小值）50% @ 5mA
电流传输比（最大值）600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）-
上升/下降时间（典型值）3µs，3µs
输入类型DC
输出类型晶体管
电压 - 输出（最大值）80V
电流 - 输出/通道80mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）1.3V（最大）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）50 mA
Vce 饱和压降（最大）400mV
工作温度-40°C ~ 110°C
安装类型表面贴装型
封装/外壳4-SMD，鸥翼
供应商器件封装4-SMD
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FDS4935BZ
ON
8-SOIC
22+
6000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDS4935BZ
描述
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
FET、MOSFET 阵列
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1360pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
FDS49
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FQPF10N60C
ON
TO-220F-3
22+
6000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FQPF10N60C
描述
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
730 毫欧 @ 4.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2040 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF10
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FQPF8N60C
on
TO-220F-3
22+
6000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FQPF8N60C
描述
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1255 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF8
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FDS8447
on
8-SOIC
22+
20000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDS8447
描述
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 12.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2600 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
FDS84
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FDMC7672S
ON
8-MLP
22+
6000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDMC7672S
描述
MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®, SyncFET™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.8A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 14.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2520 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），36W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
FDMC7672
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FDMC7692S
ON
8-MLP
22+
6000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDMC7692S
描述
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®, SyncFET™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.5A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1385 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），27W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
FDMC7692
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FT24C02A-UDR-B
Fremont
8-DIP
22+
5000
制造商
Fremont Micro Devices Ltd
制造商产品编号
FT24C02A-UDR-B
描述
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8DIP
类型
描述
选择
类别
集成电路（IC）
存储器
存储器
制造商
Fremont Micro Devices Ltd
系列
-
包装
管件
产品状态
Digi-Key 停止提供
DigiKey 可编程
未验证
存储器类型
非易失
存储器格式
EEPROM
技术
EEPROM
存储容量
2Kb
存储器组织
256 x 8
存储器接口
I²C
时钟频率
1 MHz
写周期时间 - 字，页
5ms
访问时间
550 ns
电压 - 供电
1.8V ~ 5.5V
工作温度
-40°C ~ 85°C
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
8-DIP
基本产品编号
FT24C02
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FGB20N60SFD-F085
onsemi
TO-263-3
22+
20000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FGB20N60SFD-F085
描述
IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK
类别
分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.85V @ 15V，20A
功率 - 最大值
208 W
开关能量
310µJ（开），130µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
63 nC
25°C 时 Td（开/关）值
10ns/90ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
111 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
基本产品编号
FGB20N60
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价 -
FDG6332C
onsemi
SC-88
22+
3000
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDG6332C
描述
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
FET、MOSFET 阵列
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
700mA，600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 700mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
113pF @ 10V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88（SC-70-6）
基本产品编号
FDG6332
公司简介：
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
询价
