STP6NK60ZFP
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PartNumber：
STP6NK60ZFP
-
Brand：
STM
-
Package：
TO-220-3
-
DC.：
TO-220-3
-
QTY.：
6000
-
Remark：
一般信息
数据列表 STx6NK60Z(FP-1);
标准包装 50
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 SuperMESH™
其它名称 497-5956-5
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 46nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 905pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
- Contact：
-
Tel：
0755-23004145
一般信息
数据列表 STx6NK60Z(FP-1);
标准包装 50
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 SuperMESH™
其它名称 497-5956-5
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 46nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 905pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
