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STM32F429NIH6
ST
STM32F429NIH6
21+
11000
STMicroelectronics STM32F429NIH6 微控制器
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STM32F429NIH6
STMicroelectronics STM32F429NIH6 微控制器
包装托盘
零件状态有源
核心处理器ARM® Cortex®-M4
内核规格32-位
速度180MHz
连接能力CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART，USBOTG
外设欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT
程序存储容量2MB（2M x 8）
程序存储器类型闪存
EEPROM 容量-
RAM 大小256K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.8V~ 3.6V
数据转换器A/D 24x12b; D/A 2x12b
振荡器类型内部
工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型表面贴装型
封装/外壳216-TFBGA
供应商器件封装216-TFBGA（13x13）
I/O 数168
基本产品编号STM32F429
STMicroelectronics STM32F429NIH6 微控制器
安富利（深圳）实业发展有限公司是一家全球专业的电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于全球70多个国家的客户。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。安富利（深圳）实业发展有限公司的每颗芯片都来自原厂，我们不生产芯片，我们只是原厂的搬运工，而且致力于打造诚信和双赢的元器件交易平台。安富利深圳电子执行“货 真价 实，方便快捷”的质量方针。
Inquiry
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L6225D
ST
SOP20
21+
12000
STMicroelectronics L6225D 控制器
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
L6225D
STMicroelectronics L6225D 控制器
包装管件
零件状态有源
电机类型 - 步进双极性
电机类型 - AC，DC有刷直流
功能驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置半桥（4）
接口并联
技术BiCDMOS
步进分辨率-
应用通用
电流 - 输出4A
电压 - 供电8V ~ 52V
电压 - 负载8V ~ 52V
工作温度-25°C ~ 125°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装20-SOIC
基本产品编号L6225
STMicroelectronics L6225D 控制器安富利（深圳）实业发展有限公司是一家全球专业的电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于全球70多个国家的客户。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。安富利（深圳）实业发展有限公司的每颗芯片都来自原厂，我们不生产芯片，我们只是原厂的搬运工，而且致力于打造诚信和双赢的元器件交易平台。安富利深圳电子执行“货真价实，方便快捷”的质量方针。
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L6225N
ST
DIP20
21+
9000
STMicroelectronics L6225N 控制器
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
L6225N
STMicroelectronics L6225N 控制器
包装管件
零件状态有源
电机类型 - 步进双极性
电机类型 - AC，DC有刷直流
功能驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置半桥（4）
接口并联
技术DMOS
步进分辨率-
应用通用
电流 - 输出1.4A
电压 - 供电8V ~ 52V
电压 - 负载8V ~ 52V
工作温度-25°C ~ 125°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳20-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装20-PowerDIP
基本产品编号L6225
STMicroelectronics L6225N 控制器
安富利（深圳）实业发展有限公司是一家全球专业的电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于全球70多个国家的客户。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。安富利（深圳）实业发展有限公司的每颗芯片都来自原厂，我们不生产芯片，我们只是原厂的搬运工，而且致力于打造诚信和双赢的元器件交易平台。安富利深圳电子执行“货真价实，方便快捷”的质量方针。
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UC3845BN
STM
8-迷你型 DIP
20+
8000
一般信息
数据列表 UC2842B-45B,UC3842B-45B;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 PMIC- 稳压器 - DC DC 开关式控制器
系列 -
其它名称 497-14808-5
STUC3845BN
STUC3845BN-ND
规格
输出类型 晶体管驱动器
功能 升压，升压/降压
输出配置 正，可提供隔离
拓扑 反激，升压
输出数 1
输出阶段 1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 7.6V ~ 30V
频率 - 开关 最高 500kHz
占空比（最大） 48%
同步整流器 无
时钟同步 无
串行接口 -
控制特性 频率控制
工作温度 -40°C~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 8-迷你型 DIP
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
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STP3NK80Z
STM
TO-220-3
20+
6000
一般信息
数据列表 STx3NK80Z(-1);
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 SuperMESH™
其它名称 497-4379-5
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 19nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 485pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 70W（Tc）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
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UC3843BNG
ON
8-PDIP
20+
7000
一般信息
数据列表 UC384(2,3)B,UC284(2,3)B;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 PMIC- 稳压器 - DC DC 开关式控制器
系列 -
其它名称 UC3843BNGOS
规格
输出类型 晶体管驱动器
功能 升压，升压/降压
输出配置 正，可提供隔离
拓扑 反激，升压
输出数 1
输出阶段 1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 7.6V ~ 30V
频率 - 开关 最高 500kHz
占空比（最大） 96%
同步整流器 无
时钟同步 无
串行接口 -
控制特性 频率控制
工作温度 0°C~ 70°C（TA）
安装类型 通孔
封装/外壳 8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 8-PDIP
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
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STP6NK60ZFP
STM
TO-220-3
20+
6000
一般信息
数据列表 STx6NK60Z(FP-1);
标准包装 50
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 SuperMESH™
其它名称 497-5956-5
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 46nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 905pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
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L6599ADTR
STM
16-SO
20+
3000
一般信息
数据列表 L6599A;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 PMIC- 电源控制器，监视器
系列 -
其它名称 497-8519-2
规格
应用 谐振转换器控制器
电压 - 输入 -
电压 - 供电 8.85V ~ 16V
电流 - 供电 3.5mA
工作温度 0°C~ 105°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 16-SO
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
Inquiry -
L7912CV-DG
STM
TO-220
20+
5000
一般信息
数据列表 L79xxC;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 PMIC- 稳压器 - 线性
系列 -
其它名称 497-12410
L7912CVDG
规格
输出配置 负
输出类型 固定
稳压器数 1
电压 - 输入（最大值） -35V
电压 - 输出（最小值/固定） -12V
电压 - 输出（最大值） -
电压降（最大值） 1.1V@ 1A（标准）
电流 - 输出 1.5A
电流 - 静态 (Iq) 3mA
PSRR 60dB（120Hz）
控制特性 -
保护功能 超温，短路
工作温度 0°C~ 125°C
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
Inquiry -
IR2104PBF
Infineon
8-PDIP
20+
8000
一般信息
数据列表 IR2104STRPBFDatasheet;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 PMIC- 栅极驱动器
系列 -
其它名称 *IR2104PBF
SP001544338
规格
驱动配置 半桥
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
逻辑电压 - VIL，VIH 0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 210mA，360mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举） 600V
上升/下降时间（典型值） 100ns，50ns
封装/外壳 8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 8-PDIP
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
Inquiry -
IRLML5103TRPBF
Infineon
TO-236-3
20+
7000
一般信息
数据列表 IRLML5103PbF;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 IRLML5103GTRPBF
IRLML5103GTRPBF-ND
IRLML5103GTRPBFTR
IRLML5103GTRPBFTR-ND
IRLML5103PBFTR
SP001568594
SP001572946
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.1nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 75pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 540mW（Ta）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Micro3™/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
Inquiry -
IRFP250MPBF
INFINEON
TO-247-3
20+
8000
一般信息
数据列表 IRFP250MPBF;
标准包装 25
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 SP001566168
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 75mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 123nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2159pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 214W（Tc）
工作温度 -55°C~ 175°C（TJ）
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
Inquiry -
IRF9530NPBF
Infineon
TO-220-3
20+
7000
一般信息
数据列表 IRF9530NPbF;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 *IRF9530NPBF
SP001570634
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 200 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 58nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 760pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 79W（Tc）
工作温度 -55°C~ 175°C（TJ）
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
Inquiry -
IRF5210PBF
Infineon
TO-220-3
21+
8000
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF5210PBF
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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IR21094STRPBF
Infineon
14-SOIC
20+
3000
一般信息
数据列表 IR2109PBFDatasheet;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 PMIC- 栅极驱动器
系列 -
其它名称 IR21094STRPBF-ND
IR21094STRPBFTR
SP001539652
规格
驱动配置 半桥
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
逻辑电压 - VIL，VIH 0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 200mA，350mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举） 600V
上升/下降时间（典型值） 150ns，50ns
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装 14-SOIC
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
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