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产品分类 / Products

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技术资料 / Data

晶体管 - FET IRFR9N20DTRPBF Infineon

2020/11/25 15:49:49 Infineon

一般信息

数据列表       IRFR9N20DPbF,IRFU9N20DPbF;

标准包装     2,000

包装      标准卷带 

零件状态       停產

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRFR9N20DTRPBF-ND

IRFR9N20DTRPBFTR

SP001552256

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    9.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)      380 毫欧 @ 5.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)  5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    27nC @ 10V

Vgs(最大值)     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  560pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    86W(Tc)

工作温度       -55°C~ 175°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak

 

公司简介:

安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。