制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI2316DS-T1-E3

描述 

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 TrenchFET®

其它名称 SI2316DS-T1-E3TR

SI2316DST1E3

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 50 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值） 800mV @ 250μA（）

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 7nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 215pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 700mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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