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技术资料 / Data

RN1101MFV,L3F(CT Toshiba 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 原厂代理

2020/7/1 11:03:13 RN1101MFV,L3F(CT

制造商 

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号 

RN1101MFV,L3F(CT

描述 

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

系列 -

其它名称 264-RN1101MFVL3F(TR

RN1101MFV,L3F(CB

规格

晶体管类型 NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(值) 100mA

电压 - 集射极击穿(值) 50V

电阻器 - 基极 (R1) 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2) 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(值) 30 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(值) 300mV @ 500μA,5mA

电流 - 集电极截止(值) 500nA

功率 - 值 150mW

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 SOT-723

供应商器件封装 VESM

安富利(深圳)实业发展有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流


通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、


INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。