制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI4666DY-T1-GE3

描述 

MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 TrenchFET®

其它名称 SI4666DY-T1-GE3TR

SI4666DYT1GE3

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 10 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 34nC @ 10V

Vgs（值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1145pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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